教學進度 |
課程名稱 | 超大型積體電路 |
部別學制系科 | 日間部,四技,電子工程系 |
學分時數 | 選修,學分 3.0,時數 3.0 |
分類 | 分類代號 L,分類名稱:專業選修 |
代號與教師 | 開課代號:DEC4100A506,任課教師:高政平 |
相關網址 | |
評分準則 | 平時成績 33%,期中考評 33%,期末考評 % (僅做參考) |
系統備註 | 「授課進度」... 等,教師已確認 |
週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
一 1020915 1020921 |
16日 開學,上午註冊第三節正式上課 19日 中秋節 |
宣導尊重智慧財產權,不使用影印本教科書。 課程簡介 |
二 1020922 1020928 |
26日 期初教務會議 28日 教師節 |
1. 半導體 2. PN材料及電性 |
三 1020929 1021005 |
1. Enhanced PMOS NMOS結構與電氣特性 2.Depletion PMOS NMOS結構與電氣特性 | |
四 1021006 1021012 |
第一次月考週 10日國慶日 |
1. 靜態電路結構 ( NOT NAND NOR ) |
五 1021013 1021019 |
1. 靜態電路結構 ( AOI AND OR ) | |
六 1021020 1021026 |
1. MOS特性曲線 2. I/O transfer curve 3. Spice 簡介 4 MOS W/L與電流關係及調整原則 | |
七 1021027 1021102 |
28日期中教學評量開始 | 1 XOR Gate傳輸閘電路 2 多工器傳輸閘電路 3. Latch傳輸閘電路 4. Flip Flop傳輸閘電路 |
八 1021103 1021109 |
8日期中教學評量結束 | 1. CMOS製程 |
九 1021110 1021116 |
期中考週 | 期中考 |
十 1021117 1021123 |
21日 期中教務會議 22日 校慶 |
1. CMOS製程 2. SOI 3. Body effect 4. Hot carrier and LDD製程 |
十一 1021124 1021130 |
1. Latch up成因 2. Latch up防治 | |
十二 1021201 1021207 |
1.MOS寄生電容 2. MOS寄生電容位置與電容值計算 | |
十三 1021208 1021214 |
1.MOS寄生電容位置與電容值計算 2.MOS寄生電容的影響 | |
十四 1021215 1021221 |
第二次月考週 | 1.CMOS電路電壓電流規格 2. IiH IiL Ioh IoL參數意義 |
十五 1021222 1021228 |
1. ViH ViL VoH VoL參數意義 2.串級使用時電壓電流規格注意事項 | |
十六 1021229 1030104 |
30日期末教學評量開始 1日 元旦 |
1.電流測試方法 2.電壓測試方法 3.Voltage Source Current Meter 4 Current Source Voltage Meter |
十七 1030105 1030111 |
10日期末教學評量結束。 | 1. 現代VLSI階層式設計流程介紹 |
十八 1030112 1030118 |
期末考週 | 期末考 |