教學進度

課程資訊

課程名稱半導體製程規劃
部別學制系科日間部,五專,工業工程與管理科 管理組
學分時數選修,學分 2.0,時數 2.0
分類分類代號 D,分類名稱:校訂選修

111/2 學期,於「工四A」教學之基本資訊

代號與教師開課代號:DIE1108A810,任課教師:林文燦
相關網址
評分準則平時成績 30%,期中考評 30%,期末考評 % (僅做參考)
系統備註「授課進度」... 等,教師已確認

111/2 學期,於「工四A」教學之預定進度

週次
起訖日
校務摘要 課程進度

1120220
1120226
20日開學、註冊繳費截止 宣導尊重智慧財產權,不使用影印本教科書,自編教材應引用合法授權來源。

1120227
1120305
28日和平紀念日 第一篇 半導體材料與物理 晶體結構與矽半導體物理特性

1120306
1120312
第一篇 半導體材料與物理 半導體能帶與載子傳輸

1120313
1120319
14日教務會議 第一篇 半導體材料與物理 化合物半導體晶體結構與物理特性

1120320
1120326
第二篇 半導體元件 半導體基礎元件

1120327
1120402
第二篇 半導體元件 接面能帶圖與費米能階

1120403
1120409
4日兒童節、5日清明節 第二篇 半導體元件 積體電路製程與佈局

1120410
1120416
10-14日期中教學評量 第二篇 半導體元件 半導體元件縮小化與先進奈米元件

1120417
1120423
17-21日期中考週 第二篇 半導體元件 高速與高功率電晶體

1120424
1120430
28日期中考成績繳交截止 第二篇 半導體元件 半導體光電元件
十一
1120501
1120507
第三篇 積體電路製程與設備 矽晶棒之生長習
十二
1120508
1120514
第三篇 積體電路製程與設備 矽晶圓之製作
十三
1120515
1120521
第三篇 積體電路製程與設備 化合物半導體晶棒生長
十四
1120522
1120528
第三篇 積體電路製程與設備 矽磊晶生長
十五
1120529
1120604
第三篇 積體電路製程與設備 矽磊晶系統
十六
1120605
1120611
第三篇 積體電路製程與設備 化合物半導體磊晶成長
十七
1120612
1120618
12-16日期末教學評量、15-21日期末考週 第三篇 積體電路製程與設備 矽氧化膜生長
十八
1120619
1120625
22日端午節 第三篇 積體電路製程與設備 矽氧化膜生長機制