102/1 學期，於「夜子四甲」教學之基本資訊
| 代號與教師 | 開課代號：NEC3101A334，任課教師：趙希誠 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 40%，期中考評 30%，期末考評 % (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等，教師已確認 |
| 教學進度 |
| 課程名稱 | 半導體製程 |
| 部別學制系科 | 進修部，二技，電子工程系 |
| 學分時數 | 選修，學分 3.0，時數 3.0 |
| 分類 | 分類代號 L，分類名稱：專業選修 |
| 代號與教師 | 開課代號：NEC3101A334，任課教師：趙希誠 |
| 相關網址 | |
| 評分準則 | 平時成績 40%，期中考評 30%，期末考評 % (僅做參考) |
| 系統備註 | 「授課進度」... 等，教師已確認 |
| 週次 起訖日 |
校務摘要 | 課程進度 |
| 一 1020915 1020921 |
16日 開學，上午註冊第三節正式上課 19日 中秋節 |
課程介紹,半導體產業的歷史與未來展望 |
| 二 1020922 1020928 |
26日 期初教務會議 28日 教師節 |
矽元素的原子結構,本徵半導體,摻雜半導體 |
| 三 1020929 1021005 |
化合物半導體,半導體級之矽的備製,結晶成長法,製造晶圓片 | |
| 四 1021006 1021012 |
第一次月考週 10日國慶日 |
基本的晶圓製造技術,製程範例,晶圓揀選 |
| 五 1021013 1021019 |
無塵室的建造,污染控制,晶圓表面清潔 | |
| 六 1021020 1021026 |
製程良率計算,晶圓製造良率的限制因素,整體的製程良率 | |
| 七 1021027 1021102 |
28日期中教學評量開始 | 二氧化矽層的成長法,氧化層的分析,陽極氧化 |
| 八 1021103 1021109 |
8日期中教學評量結束 | 微影程序,光阻的基本化學性質,由表面準備至曝光 |
| 九 1021110 1021116 |
期中考週 | 期中考,顯影 |
| 十 1021117 1021123 |
21日 期中教務會議 22日 校慶 |
硬烤,濕式與乾式蝕刻,最終檢查,製造光罩 |
| 十一 1021124 1021130 |
先進的微影製程,光罩保護膜 | |
| 十二 1021201 1021207 |
光學解析度的控制,光阻製程的進展 | |
| 十三 1021208 1021214 |
接合界面,擴散製程的步驟 | |
| 十四 1021215 1021221 |
第二次月考週 | 離子植入法,植入層的檢測 |
| 十五 1021222 1021228 |
摻雜技術的未來 | |
| 十六 1021229 1030104 |
30日期末教學評量開始 1日 元旦 |
化學氣相沈積法,氣相磊晶 |
| 十七 1030105 1030111 |
10日期末教學評量結束。 | 沈積多晶矽和非晶矽,金屬化 |
| 十八 1030112 1030118 |
期末考週 | 期末考 |